跳转到内容

快速周期DRAM

维基百科,自由的百科全书

FCRAM(快速循环随机存储器)是一种由富士通东芝共同开发的内存技术。它是一种同步动态随机存取存储器(SDRAM),旨在提供比传统SDRAM更快的数据访问速度。[1]

技术细节

[编辑]

与传统的SDRAM相比,FCRAM的数据访问延迟更短,这是通过将每个存储行分成多个子行来实现的。在行激活操作期间,只有一个子行被激活,这样可以减少有效阵列的大小,从而提高访问速度。这种设计使得FCRAM在图形处理和高速网络等需要快速数据访问的应用中非常有用。[2]

兼容性

[编辑]

FCRAM具有与DDR SDRAM类似的命令集,这意味着它可以与支持DDR SDRAM的内存控制器兼容。这种兼容性使得FCRAM可以更容易地集成到现有系统中,而不需要进行大量的硬件修改。

此外,FCRAM的核心架构可以被应用于两大种类的特定应用存储器产品:移动类FCRAM和消费类FCRAM。移动类FCRAM支持PSRAM接口或者支持LP SDRDDR SDRAM接口的产品类型,而消费类FCRAM则适用于与其他的逻辑芯片一起进行系统级封装

实际应用

[编辑]

FCRAM主要用于对数据访问速度有高要求的领域,例如网络设备高端服务器和某些类型的嵌入式系统。它不像其他类型的DRAM那样注重成本和容量,而是专注于提供更快的数据访问。

外部链接

[编辑]

参考文献

[编辑]
  1. ^ EETimes. FCRAM 101 Part 1: Understanding the Basics. EE Times. 2002-03-19 [2024-05-12]. (原始内容存档于2024-05-12). 
  2. ^ Alakarhu, Juha; Niittylahti, Jarkko. DRAM performance as a function of its structure and memory stream locality. Microprocessors and Microsystems. 2004-03-01, 28 (2) [2024-05-12]. ISSN 0141-9331. doi:10.1016/S0141-9331(03)00114-5. (原始内容存档于2013-03-25).