二硒化铂
二硒化铂 | |
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英文名 | Platinum(IV) selenide Platinum diselenide |
别名 | 硒化铂(IV) |
识别 | |
CAS号 | 12038-26-5 |
PubChem | 101946448 |
SMILES |
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性质 | |
化学式 | PtSe2 |
摩尔质量 | 353 g·mol−1 |
外观 | 不透明的黄白色金属光泽固体 |
密度 | 9.54 |
熔点 | (分解) |
溶解性(水) | 难溶 |
能隙 | 0 (粒状) 1.3 eV (单层) eV |
结构 | |
晶体结构 | 空间群 P3m1 164 hexagonal |
晶格常数 | a = 3.728[1], c = 5.031 |
配位几何 | 八面体 |
相关物质 | |
其他阴离子 | 二氧化铂 二硫化铂 二碲化铂 |
其他阳离子 | 二硒化钯 |
相关化合物 | Pt5Se4 |
若非注明,所有数据均出自标准状态(25 ℃,100 kPa)下。 |
二硒化铂是一种无机化合物,化学式为PtSe2。它是层状物质,可以分成薄层至三原子厚的单层。厚度不同,PtSe2可以展现出半金属或半导体特性。
二硒化铂在自然界中以硒铂矿(Sudovikovite)的形式存在,该矿以俄罗斯石油学家N.G. Sudovikov(1903 - 1966)命名。矿石的硬度在2到2.5之间。硒铂矿发现于俄罗斯卡累利阿共和国的Zaonezhie半岛的Velikaya Guba铀钒矿床的Srednyaya Padma矿区中。[2]
制备
[编辑]在1909年,Minozzi第一个报道了通过相应的元素单质制备二硒化铂。[3]
将铂薄箔在400℃时与硒蒸气加热可以得到二硒化铂。[4][5]
铂的111晶面暴露于硒蒸气中,270℃可以形成单层PtSe2.[6]
除了这些硒化法外,PtSe2也可以通过在水溶液中用硒化氢处理Pt(IV)得到,或者是加热四氯化铂和硒的混合物。[3]
性质
[编辑]二硒化铂的晶体结构为CdI2,形成的是层状结构。每个单层有铂原子中心,硒原子在铂的上方和下方。这种结构也称为“1T”,属于三角晶系。每层仅由弱键结合在一起,因此可以将片剥离为双层或单层。[7]
块状的PtSe2是半金属材料,单层是半导体材料。[7]块状材料的电导率为620,000 S/m。[8]
XPS光谱显示了在Pt 4f处有72.3eV的峰,在Pt 5p3/2有55.19和54.39eV的峰[7];Se 3d3/2和3d5/2分别有55.19和54.39eV的峰。[6]
声子振动由红外活性A2u(Se在Pt面外振动)、Eu(层振动,Se相对于Pt)和拉曼活性A1g(Se顶部和底部原子沿相反方向205cm-1移动)、Eg(在平面Se原子相对于顶部和底部移动175cm−1)。在拉曼光谱中,当测量与入射光线垂直偏振的受激发射时,A1g被减弱。堆叠更多的层时,Eg模式发生红移。(双层材料为166cm−1,块状材料为155cm−1)。当厚度变化时,Alg排放仅略有变化。[7]
对于单层,带隙为1.2eV(计算值),双层的为0.21eV(计算值)。对于三层或更厚的物质,会失去一个带隙并变为半金属性质。[6]
PtSe2可以在特定气体(如二氧化氮)存在下改变其电导性。在几秒钟内,NO2吸附在PtSe2材料的表面,降低了电阻。当气体不存在时,大约一分钟内会回到高电阻的状态。[4]PtSe2的塞贝克系数为40 μV/K。[9]
虽然二硒化铂是非磁性的,但是当存在高达10%的铂空位并且其被置于5%的应变下时,它预计将变为铁磁性。[10]
二硒化铂的单层显示螺旋旋转纹理,对诸如此类的中心对称材料来说,这一性质并不是我们想要的。这个性质可能是由于局部偶极诱导的拉什巴效应,这意味着PtSe2是潜在的自旋电子材料。[11]
化学反应
[编辑]目前已知的是水和氧在室温下仅与二硒化铂发生物理吸附,所对应的能量分别为−0.19 eV和−0.13 eV,远低于室温下发生反应所需的能量。[8]
参考文献
[编辑]- ^ Guo, G Y; Liang, W Y. The electronic structures of platinum dichalcogenides: PtS2 , PtSe2 and PtTe2. Journal of Physics C: Solid State Physics. 1986-03-10, 19 (7): 995–1008. doi:10.1088/0022-3719/19/7/011.
- ^ Sudovikovite: Sudovikovite mineral information and data.. www.mindat.org. [2017-03-19]. (原始内容存档于2020-11-04).
- ^ 3.0 3.1 Grønvold, Fredrik; Haakon, Haraldsen; Kjekshus, Arne. On the sulfides, selenides and tellurides of platinum (PDF). Acta Chemica Scandinavica. 1960, 14 (9) [2017-07-02]. (原始内容存档 (PDF)于2018-07-22).
- ^ 4.0 4.1 Ultra-fast, ultra-sensitive PtSe2 gas sensors. PhysOrg. 2017-01-13 [2017-03-17]. (原始内容存档于2020-11-12).
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- ^ 6.0 6.1 6.2 Wang, Yeliang; Li, Linfei; Yao, Wei; Song, Shiru; Sun, J. T.; Pan, Jinbo; Ren, Xiao; Li, Chen; Okunishi, Eiji; Wang, Yu-Qi; Wang, Eryin; Shao, Yan; Zhang, Y. Y.; Yang, Hai-tao; Schwier, Eike F.; Iwasawa, Hideaki; Shimada, Kenya; Taniguchi, Masaki; Cheng, Zhaohua; Zhou, Shuyun; Du, Shixuan; Pennycook, Stephen J.; Pantelides, Sokrates T.; Gao, Hong-Jun. Monolayer PtSe2, a New Semiconducting Transition-Metal-Dichalcogenide, Epitaxially Grown by Direct Selenization of Pt. Nano Letters. 2015-06-10, 15 (6): 4013–4018. doi:10.1021/acs.nanolett.5b00964.
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- ^ 8.0 8.1 Zhao, Yuda; Qiao, Jingsi; Yu, Zhihao; Yu, Peng; Xu, Kang; Lau, Shu Ping; Zhou, Wu; Liu, Zheng; Wang, Xinran; Ji, Wei; Chai, Yang. High-Electron-Mobility and Air-Stable 2D Layered PtSe2 FETs. Advanced Materials. February 2017, 29 (5): 1604230. doi:10.1002/adma.201604230.
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- ^ Yao, Wei; Wang, Eryin; Huang, Huaqing; Deng, Ke; Yan, Mingzhe; Zhang, Kenan; Miyamoto, Koji; Okuda, Taichi; Li, Linfei; Wang, Yeliang; Gao, Hongjun; Liu, Chaoxing; Duan, Wenhui; Zhou, Shuyun. Direct observation of spin-layer locking by local Rashba effect in monolayer semiconducting PtSe2 film. Nature Communications. 2017-01-31, 8: 14216. doi:10.1038/ncomms14216.