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摘要

Cyril BUTTAY - plotted using gnuplot, source file available by email: cyril DOT buttay AT free DOT fr

This plot represents the specific resistance of MOSFETs versus their breakdown voltage. The dots are the values estimated from the datasheets of the following manufacturers: International Rectifier, ST Microelectronics, Infineon. Only the transistors in D2PAK package have been considered, with an estimated 30 mm² die size.

The "ideal" curve is the specific resistance of a single silicon layer that can withstand the given breakdown voltage. Its equation is Rdson=5.93.10-9.Vbr2.5, and comes from B. JAYANT BALIGA, "Power semiconductor devices", PWS publishing company, 1996

 
本PNG 位图使用Gnuplot创作.

)"

set xlabel "Breakdown Voltage (V)" set format y '%3.1s %c'#{/Symbol W}' set format x "%3.0s %cV" set logscale xy

  1. output file name

set output "bv_rdson.eps" plot [10:2000][100e-6:10] 5.93e-9*(x**2.5) ls 3 title 'Ideal MOSFET',\ 'mos_data.txt' using 1:($2*0.3) ls 2 with points title 'Commercially available MOSFETs (estimated specific resistance)' }}

Dataset

gnuplot expects to find the data in a file named 'mos_data.txt'. As mentioned above, the data comes from various manufacturers, but I forgot to write down the corresponding devices reference numbers...

 
本PNG 位图使用Gnuplot创作.

post processing

convert -density 300 bv_rdson.eps bv_rdson.png

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当前2012年1月25日 (三) 08:242012年1月25日 (三) 08:24版本的缩略图1,500 × 1,050（82 KB）CyrilB~commonswikiThe "ideal" curve on previous figures was plotted using the following equation: 1.63e-8.Vbr^2.5. However, this equation is for P-devices (see B.J.Baliga "power semiconductor devices", PWS , ISBN 0-534-94098-6, 1995 p 373). For N devices, the constant is 5
2011年3月3日 (四) 20:472011年3月3日 (四) 20:47版本的缩略图1,500 × 1,050（88 KB）CyrilB~commonswikiCorrection of the y-axis label from ohm.cm-2 to ohm.cm2
2006年2月11日 (六) 18:132006年2月11日 (六) 18:13版本的缩略图1,500 × 1,050（37 KB）CyrilB~commonswikiCyril BUTTAY - plotted using gnuplot, source file available by email: cyril DOT buttay AT free DOT fr This plot represents the specific resistance of MOSFETs versus their breakdown voltage. The dots are the values estimated from the datasheets of the fol

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