一硒化锗
（重定向自硒化亚锗）
| 一硒化锗 | |
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| IUPAC名 Germanium selenide | |
| 别名 | 硒化锗(II) 硒化亚锗 |
| 识别 | |
| CAS号 | 12065-10-0 
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| PubChem | 12049114 |
| SMILES |
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| 性质 | |
| 化学式 | GeSe |
| 摩尔质量 | 151.57 g/mol g·mol⁻¹ |
| 外观 | 黑色固体 |
| 密度 | 5.56 g/cm3 |
| 熔点 | 667 °C（940 K）（分解） |
| 能隙 | 1.07 eV (indirect) [1] eV |
| 折光度n D |
2.5 |
| 结构 | |
| 晶体结构 | 正交晶系 |
| 空间群 | Pnma |
| 相关物质[2] | |
| 其他阴离子 | 一硫化锗 一碲化锗 |
| 其他阳离子 | 硒化铅 |
| 若非注明，所有数据均出自标准状态（25 ℃，100 kPa）下。 | |
一硒化锗是一种无机化合物，化学式为GeSe。它是一种黑色晶体，为正交晶系 （错位的NaCl构型）。在 ~650 °C的温度下，硒化锗的晶体结构会转变成 NaCl 的立方晶系。[3]
为了生长GeSe晶体，GeSe粉末会在密封安瓿瓶的热端蒸发，并在冷端冷凝。通常硒化锗的晶体很小，并且显示出不规则生长的迹象。这主要是由气态介质中的对流运动引起的。但是，在天空实验室计划上，零重力和对流减少的条件下生长的GeSe会比在地球生长的硒化锗晶体大大约10倍，并且没有肉眼可见的缺陷。 [4][5]
参考资料
[编辑]- ^ R. Eymard and A. Otto; et al. Optical and electron-energy-loss spectroscopy of GeS, GeSe, SnS, and SnSe single crystals. Physical Review B. 977. doi:10.1103/PhysRevB.16.1616
.
- ^ GeSe at webelements
- ^ Wiedemeier H., Siemers P.A. The Thermal Expansion and High Temperature Transformation of GeSe. Zeitschrift für anorganische und allgemeine Chemie. 1975, 411: 90–96. doi:10.1002/zaac.19754110110.
- ^ SP-400 Skylab, Our First Space Station. NASA. [2009-06-06]. （原始内容存档于2021-06-14）.
- ^ H. Wiedemeier; et al. Crystal growth and transport rates of GeSe and GeTe in micro-gravity environment. Journal of Crystal Growth. 1975, 31: 36. doi:10.1016/0022-0248(75)90107-4.
